采购热线 400-661-9010
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2.5W
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS150P04SC
功率：1.7W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1818GR-9JG-E1-A
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.2mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G10P03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.55nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2.5W
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2.5W
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：2.5W
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.45nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：60244}
包装规格(MPQ)：295psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ529L06-E
功率：20W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：散装
输入电容：580pF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：160mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT2718J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：13W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：168pF@10V
导通电阻：13mΩ@4.5V，7A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ESN4485
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：42nC
输入电容：2.5nF
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：180pF
导通电阻：10.5mΩ@10V，10A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1818GR-9JG-E1-A
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.2mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RRS100P03HZGTB
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：39nC@5V
输入电容：3.6nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：12.6mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
