采购热线 400-661-9010
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G10P03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：27nC@4.5V
输入电容：1.55nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1354，"22+"：2188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
栅极电荷：24nC@4.5V
输入电容：2.141nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@15V
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
栅极电荷：24nC@4.5V
输入电容：2.141nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@15V
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：11nC@4.5V
输入电容：1.25nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
栅极电荷：24nC@4.5V
输入电容：2.141nF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：205pF@15V
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN3406DT2AG
栅极电荷：24nC@4.5V
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：205pF@15V
类型：1个N沟道
导通电阻：13.5mΩ@4.5V，8A
功率：2.1W
输入电容：2.141nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JSM4435
导通电阻：16.5mΩ@10V，8A
漏源电压：30V
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：10A
功率：2.1W
栅极电荷：11nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.25nF@15V
类型：1个P沟道
反向传输电容：90pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS10DN3LH5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.6nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：475pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：2个N沟道
导通电阻：21mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7416TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：20mΩ@10V，5.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG4466SSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
栅极电荷：17nC@10V
功率：1.42W
阈值电压：2.4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：23mΩ@10V，10A
输入电容：478.9pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
