品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS10DN3LH5
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:4.6nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:2个N沟道
导通电阻:21mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP80N450K6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@100μA
栅极电荷:17.3nC@10V
输入电容:700pF@400V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:450mΩ
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: