品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM6J507NU,LF
工作温度:150℃
功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
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输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
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类型:P沟道
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栅极电荷:20.4nC@4.5V
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输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
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导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
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阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
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阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
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阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
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漏源电压:30V
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阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
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漏源电压:30V
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
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栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
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连续漏极电流:10A
工作温度:150℃
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
功率:1.25W
导通电阻:20mΩ@4A,10V
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栅极电荷:20.4nC@4.5V
功率:1.25W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
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阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
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功率:1.25W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1150pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@4A,10V
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