品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10J80E,S1E
工作温度:150℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK10A80E,S4X
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
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库存:
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R8010ANX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1750pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:560mΩ@5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
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