采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCU20P10-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2100pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@16A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC076N04NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€65W
阈值电压：4V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2950pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.6mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOCA24106E
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：5.6mΩ@4A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL8DN10LF3
工作温度：-55℃~175℃
功率：70W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：970pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25310Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：4.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：655pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：23.9mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RMW200N03TB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：35000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC155N06NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC155N06NDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：4V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：15.5mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH8R903NL，LQ
工作温度：150℃
功率：1.6W€24W
阈值电压：2.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.2V@10µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S2L35ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2V@27µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：790pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@15A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17579Q3AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€29W
阈值电压：1.9V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：998pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：10.2mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N04S4L08ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：54W
阈值电压：2.2V@22µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3050pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC072N04LDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@30µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3990pF@20V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：7.2mΩ@17A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.2V@10µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：26mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N10S4L35ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：2.1V@16µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1105pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：65W
阈值电压：2.2V@28µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4020pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：11.2mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.7mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：36W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：508pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUZ20N08S5L300ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：2V@8µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：599pF@40V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPG20N10S4L35AATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：43W
阈值电压：2.1V@16µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1105pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：35mΩ@17A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD87330Q3D
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：2个N通道（半桥）
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
