采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC20N65FD
功率：40W
阈值电压：3.9V
包装方式：管件
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：167mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP20N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK20N60W5，S1VF
功率：165W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@300V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：175mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP20N60
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208W
阈值电压：5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：98nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3.08nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6020KNXC7G
功率：68W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.55nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：196mΩ@9.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOTF190A60CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.935nF@100V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@7.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：GC20N65FD
功率：40W
阈值电压：3.9V
包装方式：管件
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：167mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDPF3860T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33.8W
阈值电压：4.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.8nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：38.2mΩ@10V，5.9A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
