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    品牌: TI
    连续漏极电流: 20A
    行业应用: 汽车
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    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订3个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

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    类型:N沟道

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

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    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:30V

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订3个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3D 起订3个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86336Q3D

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    功率:6W

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    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    功率:6W

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    导通电阻:6mΩ@12A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD87334Q3D 起订3个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    漏源电压:30V

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    连续漏极电流:20A

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    漏源电压:20V

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订250个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订12个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    连续漏极电流:20A

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3DT 起订500个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":500}

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

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    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订250个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订25个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD86330Q3D 起订3个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

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    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    导通电阻:9.6mΩ@14A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

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    连续漏极电流:20A

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    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

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    输入电容:900pF@15V

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    漏源电压:30V

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    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD87330Q3D 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87330Q3D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

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    输入电容:900pF@15V

    连续漏极电流:20A

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    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3DT 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD86336Q3DT 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD86336Q3DT

    工作温度:-55℃~125℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA€1.6V@250µA

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    输入电容:494pF@12.5V€970pF@12.5V

    连续漏极电流:20A

    类型:2个N通道(半桥)

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A 起订1000个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€37W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2T 起订1000个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订1000个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A 起订100个装
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€37W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD25310Q2 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25310Q2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:1.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:4.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:655pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:23.9mΩ@5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3A 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17579Q3AT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17579Q3AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€29W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:998pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17578Q3A 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17578Q3A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€37W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1590pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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