销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD20N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:3.12nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@25V
导通电阻:390mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR20N40
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:蓝箭电子(BLUE ROCKET ELECTRONICS)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BR20N40
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:230mΩ@10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,12A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,12A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD20N60
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:3.12nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@25V
导通电阻:390mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD20N60
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:3.12nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@25V
导通电阻:390mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD20N65
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:3.12nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@25V
导通电阻:390mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD20N60
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:3.12nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@25V
导通电阻:390mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF20N50
工作温度:-55℃~+150℃
功率:230W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:1.92nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:18pF@25V
导通电阻:260mΩ@10V,10A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF20N50
连续漏极电流:20A
漏源电压:500V
功率:230W
类型:1个N沟道
输入电容:1.92nF@25V
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:260mΩ@10V,10A
工作温度:-55℃~+150℃
反向传输电容:18pF@25V
栅极电荷:56nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT20N65HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:270W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:54nC@10V
输入电容:2.512nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:14pF@25V
导通电阻:400mΩ@10V,10A
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:140W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.8nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:140W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.8nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD20N60
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:3.12nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@25V
导通电阻:390mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MD20N60
功率:300W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:3.12nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:15pF@25V
导通电阻:390mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:3.1nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,12A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:210nC@10V
输入电容:4.2nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,12A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:3.1nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,12A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:140W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.8nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:140W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.8nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
功率:140W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:60nC@10V
输入电容:1.8nF@50V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:280W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:105nC@10V
输入电容:3.1nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:270mΩ@10V,12A
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:1.3nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,12A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: