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    连续漏极电流: 20A
    阈值电压: 2.5V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472DP-T1-GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR472DP-T1-GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR472DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.9W€29.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:820pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@13.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF3 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL8DN6LF3 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8DN6LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:668pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG20P03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N06D52 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N06D52 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N06D52

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N06D52 起订1000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N06D52 起订1000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N06D52

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P06SLG-E1-AY 起订10个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P06SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:48mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订500个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订500个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL7N6LF3 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STL7N6LF3 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL7N6LF3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.3W€52W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:8.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD19P06-60L_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD19P06-60L_T4GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@19A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N06D52 起订2000个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G20N06D52 起订2000个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G20N06D52

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1326pF@30V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:30mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订100个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订10000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订10000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG20P03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCG20P03-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCG20P03-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:21W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1750pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP20P04SLG-E1-AY 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP20P04SLG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.2W€38W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1650pF@10V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

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