采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA20N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR4105ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：24.5mΩ@18A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA20N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR4105ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：24.5mΩ@18A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
功率：33.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
输入电容：1.6nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：178mΩ@10A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR4105ZTRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：740pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：24.5mΩ@18A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：985pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA20N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：290W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1450pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@10A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPDD60R125G7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：120W
阈值电压：4V@320µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1080pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：125mΩ@6.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：226}
规格型号(MPN)：RJK60S5DPP-E0#T2
连续漏极电流：20A
功率：33.7W
导通电阻：178mΩ@10A，10V
输入电容：1.6nF@25V
类型：1个N沟道
漏源电压：600V
栅极电荷：27nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR474DP-T1-GE3
连续漏极电流：20A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.9W€29.8W
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：985pF@15V
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
