品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK20A60U(STA4,Q,M)
功率:45W
阈值电压:5V@1mA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
输入电容:1.72nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT650N15K
工作温度:-55℃~+175℃
功率:68W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:600pF@75V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:10.8pF@75V
导通电阻:59mΩ
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCB20N60FTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:208W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.37nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
反向传输电容:95pF@25V
导通电阻:150mΩ@10V,10A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA2726UT1A-E1-AY
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@5V
输入电容:1.72nF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:30W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:165mΩ@11A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6520ENJTL
功率:231W
阈值电压:4V@630μA
栅极电荷:61nC@10V
输入电容:1.4nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:205mΩ@9.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIOTEC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DI020N06D1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020JNJGTL
工作温度:-55℃~+150℃
功率:252W
阈值电压:7V@3.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@15V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.5nF@100V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:234mΩ@10A,15V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF3860T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:33.8W
阈值电压:4.5V@250μA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.8nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:38.2mΩ@10V,5.9A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1760}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2461-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"1K+":1337}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2729-E
功率:150W
阈值电压:3.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
输入电容:3.3nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@10A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1760}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2461-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
输入电容:1.4nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3H200SNTL1
工作温度:-55℃~+150℃
功率:20W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:950pF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:28mΩ@20A,10V
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存: