采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0349DSP-00#J0
工作温度：150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3850pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6681Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6681Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2950，"23+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPbF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：2950，"23+"：1500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPbF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：260nC@10V
输入电容：7.54nF@15V
连续漏极电流：20A
类型：1个P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@100µA
栅极电荷：165nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5250pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7832TRPBF
工作温度：-55℃~155℃
功率：2.5W
阈值电压：2.32V@250µA
栅极电荷：51nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4310pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：4mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6681Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7540pF@15V
连续漏极电流：20A
类型：P沟道
导通电阻：4.6mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
