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    连续漏极电流
    20A
    工作温度
    漏源电压
    30V
    功率
    栅极电荷
    行业应用
    连续漏极电流: 20A
    工作温度: -55℃~150℃
    漏源电压: 30V
    功率: 2.5W
    栅极电荷: 260nC@10V
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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7540pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS6681Z 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS6681Z

    连续漏极电流:20A

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:7540pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:260nC@10V

    导通电阻:4.6mΩ@20A,10V

    类型:P沟道

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

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