品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IMBF170R450M1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:5.7V@2.5mA
栅极电荷:11nC@12V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:610pF@1000V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@2A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4463BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@13.7A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG7401SFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:940mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2987pF@15V
连续漏极电流:9.8A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@12A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFI640GPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:9.8A
类型:N沟道
导通电阻:180mΩ@5.9A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: