品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN32D0LFB4-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.2V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:44.8pF@15V
连续漏极电流:440mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@100mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
阈值电压:1.2V@100µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2005LPK-7
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:440mA
漏源电压:20V
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
阈值电压:1.2V@100µA
类型:N沟道
工作温度:-65℃~150℃
功率:450mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: