采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：20，"23+"：1900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2020-3/TR
功率：320mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：830mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM2020-3/TR
功率：320mW
阈值电压：850mV@250μA
连续漏极电流：830mA
类型：1个N沟道
导通电阻：310mΩ@4.5V，550mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY1002PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：446mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDY102PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：625mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.1nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：135pF@10V
连续漏极电流：830mA
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@830mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
