采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38SVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：351W
阈值电压：4.5V@1.25mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：109nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4354pF@400V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R035CFD7XTMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：109nC@10V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
功率：351W
漏源电压：600V
输入电容：4354pF@400V
ECCN：EAR99
阈值电压：4.5V@1.25mA
导通电阻：35mΩ@24.9A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM089N08LCR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6119pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@12A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
