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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ200EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ244EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V€2800pF@25V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ204EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V€3700pF@6V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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阈值电压：2.5V@250µA
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类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：40V
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阈值电压：2V@250µA
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输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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阈值电压：2V@250µA
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输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：40V
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阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：40V
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阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：1400pF@6V€3700pF@6V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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规格型号(MPN)：SQJ200EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V€3700pF@6V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SQJ200EP-T1_GE3
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功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ204EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V€3700pF@6V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ200EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
漏源电压：20V
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规格型号(MPN)：SQJ200EP-T1_GE3
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功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
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规格型号(MPN)：SQJ200EP-T1_GE3
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功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
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输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
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功率：27W€48W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V€2800pF@25V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ204EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@6V€3700pF@6V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）非对称型
漏源电压：12V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ200EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W€48W
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@10V
连续漏极电流：20A€60A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：8.8mΩ@16A，10V
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规格型号(MPN)：SQJ244EP-T1_GE3
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功率：27W€48W
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输入电容：1200pF@25V€2800pF@25V
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类型：2N沟道（双）非对称型
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