采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60JC3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：3.9V@5.4mA
栅极电荷：640nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@60A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60BC6
工作温度：-55℃~150℃
功率：481W
阈值电压：3.6V@2.96mA
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@44.4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1551
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCH041N60E
工作温度：-55℃~150℃
功率：592W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：380nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13700pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@39A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6077VNZ4C13
工作温度：150℃
功率：781W
阈值电压：6.5V@1.9mA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5200pF@100V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@23A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
