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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ940EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：896pF@20V
连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ940EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：896pF@20V
连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：16mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：16mΩ@15A，10V
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导通电阻：16mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：18000}
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规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：48W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：896pF@20V
连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：18000}
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规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：48W€43W
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输入电容：896pF@20V
连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ940EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：896pF@20V
连续漏极电流：15A€18A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：16mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"10+"：18000}
规格型号(MPN)：FDMC8678S
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
阈值电压：3V@1mA
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
功率：2.3W€41W
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ940EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：16mΩ@15A，10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A€18A
漏源电压：40V
功率：48W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
输入电容：896pF@20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8678S
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€41W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2075pF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8MA2TB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V€25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@15V€1.25nF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V€17.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8MA2TB1
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V€25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@15V€1.25nF@15V
连续漏极电流：15A€18A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V€17.9mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8MA2TB1
功率：3W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A€18A
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：22nC@10V€25nC@10V
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V€17.9mΩ@15A，10V
类型：1个N沟道+1个P沟道
输入电容：1.1nF@15V€1.25nF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
