采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT035N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-25YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：124W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：185A
类型：MOSFET
导通电阻：1.9mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM018NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3479pF@15V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM018NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3479pF@15V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT035N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：85V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPT180N08
工作温度：-55℃~+150℃
功率：208.3W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：124nC@10V
输入电容：6.234nF@42.5V
连续漏极电流：185A
类型：1个N沟道
反向传输电容：97pF@42.5V
导通电阻：3mΩ@10V，50A
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM018NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3479pF@15V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@29A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-25YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：124W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：185A
类型：MOSFET
导通电阻：1.9mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
连续漏极电流：185A
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：69nC@10V
输入电容：3240pF@50V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDBL86066-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3240pF@50V
连续漏极电流：185A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-25YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：124W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：185A
类型：MOSFET
导通电阻：1.9mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-25YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：124W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：185A
类型：MOSFET
导通电阻：1.9mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R6-25YLEX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：124W
阈值电压：2.2V
栅极电荷：27nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：185A
类型：MOSFET
导通电阻：1.9mΩ
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
