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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120150K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166.7W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：25.7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：18.4A
类型：MOSFET
导通电阻：330mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
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输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120150K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166.7W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：25.7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：18.4A
类型：MOSFET
导通电阻：330mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120150K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166.7W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：25.7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：18.4A
类型：MOSFET
导通电阻：330mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120150K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166.7W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：25.7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：18.4A
类型：MOSFET
导通电阻：330mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
功率：3W€6W
栅极电荷：67nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120150K4S
阈值电压：3.5V
功率：166.7W
栅极电荷：25.7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：18.4A
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：330mΩ
漏源电压：1.2kV
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
功率：3W€6W
栅极电荷：67nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120150K4S
阈值电压：3.5V
功率：166.7W
栅极电荷：25.7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：18.4A
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：330mΩ
漏源电压：1.2kV
类型：MOSFET
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4190ADY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1970pF@50V
连续漏极电流：18.4A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C120150K4S
工作温度：-55℃~+175℃
功率：166.7W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：25.7nC
包装方式：Tube
连续漏极电流：18.4A
类型：MOSFET
导通电阻：330mΩ
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
