采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSCM20XM10T3XG
工作温度：-40℃~125℃
功率：341W
阈值电压：5V@250µA
包装方式：散装
输入电容：10700pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：6N-沟道（3相桥）
导通电阻：9.7mΩ@81A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMB055N08NS1_R2_00601
工作温度：-55℃~150℃
功率：113.6W
阈值电压：3.75V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@7V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4773pF@40V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL210N30P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：268nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16200pF@25V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@105A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM045NA03CR RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1194pF@15V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL210N30P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：268nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16200pF@25V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@105A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN120N65X2
工作温度：-55℃~150℃
功率：890W
阈值电压：5.5V@8mA
栅极电荷：225nC@10V
输入电容：15500pF@25V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@54A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：20psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMIX1F210N30P3
阈值电压：5V@8mA
包装方式：管件
输入电容：16200pF@25V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@105A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL210N30P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：268nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16200pF@25V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@105A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH10H010LCT
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€166W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：53.7nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2592pF@50V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@13A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFL210N30P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@8mA
栅极电荷：268nC@10V
包装方式：管件
输入电容：16200pF@25V
连续漏极电流：108A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@105A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFN120N65X2
漏源电压：650V
连续漏极电流：108A
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：15500pF@25V
功率：890W
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@54A，10V
栅极电荷：225nC@10V
阈值电压：5.5V@8mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
