采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4SC075009K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.5V@10mA
栅极电荷：75nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3340pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4SC075009K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.5V@10mA
栅极电荷：75nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3340pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：800}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4SC075009K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.5V@10mA
栅极电荷：75nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3340pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4SC075009K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.5V@10mA
栅极电荷：75nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3340pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：QORVO
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：UJ4SC075009K4S
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：5.5V@10mA
栅极电荷：75nC@15V
包装方式：管件
输入电容：3340pF@400V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：11.5mΩ@70A，12V
漏源电压：750V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF3808STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5310pF@25V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@82A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVBG025N065SC1
工作温度：-55℃~175℃
功率：395W
阈值电压：4.3V@15.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：164nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3480pF@325V
连续漏极电流：106A
类型：N沟道
导通电阻：28.5mΩ@45A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
