品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
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连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
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类型:N沟道
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漏源电压:100V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
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连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
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类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
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类型:N沟道
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
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连续漏极电流:201A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:175nC@10V
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连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB004N10G
工作温度:-55℃~175℃
功率:340W
阈值电压:4V@500µA
栅极电荷:175nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
连续漏极电流:201A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA22DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:83nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:740μΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB004N10G
连续漏极电流:201A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
功率:340W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:175nC@10V
阈值电压:4V@500µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB004N10G
连续漏极电流:201A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@50V
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@100A,10V
功率:340W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:175nC@10V
阈值电压:4V@500µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA22DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:83nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:740μΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJA22DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:48W
阈值电压:2.2V
栅极电荷:83nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:740μΩ
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):3000psc
规格型号(MPN):SIJA22DP-T1-GE3
连续漏极电流:201A
包装方式:Reel
功率:48W
漏源电压:25V
栅极电荷:83nC
阈值电压:2.2V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:MOSFET
导通电阻:740μΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP011N04NF2SAKMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:375W
阈值电压:3.4V
ECCN:EAR99
栅极电荷:210nC
连续漏极电流:201A
类型:MOSFET
导通电阻:1.15mΩ
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: