采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3021LFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.03W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@15V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y107-80EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：6.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：706pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：98mΩ@5A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：905，"22+"：4000，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF19N20
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：11.8A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@5.9A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
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