品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC042N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€57W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3500pF@15V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2164pF@25V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C646NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€79W
阈值电压:4V@80µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1500pF@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@16A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: