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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5546，"21+"：6813，"22+"：9964，"23+"：14450，"MI+"：7771}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6688P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7435pF@10V
连续漏极电流：14A€56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5546，"21+"：6813，"22+"：9964，"23+"：14450，"MI+"：7771}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6688P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7435pF@10V
连续漏极电流：14A€56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6688P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：61nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7435pF@10V
连续漏极电流：14A€56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5546，"21+"：6813，"22+"：9964，"23+"：14450，"MI+"：7771}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6688P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7435pF@10V
连续漏极电流：14A€56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5546，"21+"：6813，"22+"：9964，"23+"：14450，"MI+"：7771}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6688P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@4.5V
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输入电容：7435pF@10V
连续漏极电流：14A€56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：5546，"21+"：6813，"22+"：9964，"23+"：14450，"MI+"：7771}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC6688P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€30W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7435pF@10V
连续漏极电流：14A€56A
类型：P沟道
导通电阻：6.5mΩ@14A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
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栅极电荷：3.8nC@4.5V
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连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
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库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
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功率：2.7W
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导通电阻：10mΩ@10A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
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连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
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输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
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输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
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类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
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连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：5546，"21+"：6813，"22+"：9964，"23+"：14450，"MI+"：7771}
规格型号(MPN)：FDMC6688P
导通电阻：6.5mΩ@14A，4.5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：7435pF@10V
栅极电荷：61nC@4.5V
类型：P沟道
阈值电压：1V@250µA
连续漏极电流：14A€56A
功率：2.3W€30W
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
输入电容：570pF@12.5V
漏源电压：25V
栅极电荷：3.8nC@4.5V
连续漏极电流：14A€56A
ECCN：EAR99
导通电阻：10mΩ@10A，10V
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD16411Q3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：3.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@12.5V
连续漏极电流：14A€56A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
