品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009END3TL1
功率:94W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009ENXC7G
功率:48W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ@8.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009ENXC7G
功率:48W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6009END3TL1
功率:94W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:430pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:1个N沟道
导通电阻:535mΩ@2.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4608LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.3W€27.1W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:905pF@30V
连续漏极电流:12.6A€36.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690AS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690AS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT18N20
工作温度:-55℃~+150℃
功率:100W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MP18N20
功率:130W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:1.32nF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
反向传输电容:130pF@25V
导通电阻:130mΩ@10V,7.5A
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH240N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:783pF@100V
连续漏极电流:12A
类型:1个N沟道
导通电阻:240mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STI24N60M6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:130W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:960pF@100V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:190mΩ
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6690AS
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:910pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10V,10A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTBS9D0N10MC
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.8W€68W
阈值电压:3V@131μA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.695nF@50V
连续漏极电流:14A€60A
类型:1个N沟道
反向传输电容:13pF@50V
导通电阻:7.8mΩ@10V,23A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH250N60EF-T1GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:915pF@100V
连续漏极电流:13A
类型:1个N沟道
导通电阻:250mΩ@5.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: