采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2302MA
功率：900mW
阈值电压：1V@50μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302LT1G
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2310MA
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2310MA
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2310MA
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：94mΩ@4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KL3A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GDSSF2300
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：7357，"11+"：95000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1562DJE-00#Z0
功率：900mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：3nC@4V
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.4Ω@500mA，4V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：5000，"18+"：5000}
包装规格(MPQ)：728psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3447TZ-E
功率：900mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：85pF@10V
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.95Ω@500mA，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KL3A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GDSSF2300
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：GOOD-ARK
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GDSSF2300
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KL3A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302LT1G
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302LT1G
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN2302LT1G
功率：900mW
阈值电压：1.2V@250μA
连续漏极电流：2.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：60mΩ@4.5V，2.8A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS2302MA
功率：900mW
阈值电压：1V@50μA
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：41mΩ@2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3134KL3A-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.1V@250μA
栅极电荷：800pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@16V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-LNB2306ELT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：370pF@15V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
反向传输电容：21pF@15V
导通电阻：35mΩ@10V，6.7A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
