品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107W€3.8W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:1.696nF@25V
连续漏极电流:53A
类型:1个N沟道
导通电阻:16.5mΩ@28A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:110nC@10V
输入电容:3.45nF@25V
连续漏极电流:75A
类型:1个N沟道
导通电阻:6.5mΩ@10V,66A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48NPBF
工作温度:-55℃~+175℃
功率:54W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:89nC@10V
输入电容:1.9nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:270pF@25V
导通电阻:16mΩ@10V,22A
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):HUF75345S3ST
包装方式:卷带(TR)
功率:325W
类型:1个N沟道
连续漏极电流:75A
栅极电荷:275nC@20V
阈值电压:4V@250μA
输入电容:4nF@25V
漏源电压:55V
工作温度:-55℃~+175℃
导通电阻:7mΩ@75A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200W
连续漏极电流:110A
阈值电压:4V@250μA
导通电阻:8mΩ@10V,62A
漏源电压:55V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
栅极电荷:146nC@10V
输入电容:3.247nF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: