采购热线 400-661-9010
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580P
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840
功率：134W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840
功率：134W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840
功率：134W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：700mΩ@10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580P
功率：26W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.6nC@10V
输入电容：410.8pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：3.1pF@25V
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840
漏源电压：500V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
导通电阻：700mΩ@10V
类型：1个N沟道
功率：134W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
输入电容：474pF@25V
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
连续漏极电流：8A
漏源电压：900V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
类型：1个N沟道
栅极电荷：13.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS65R580D
漏源电压：650V
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：8A
导通电阻：0.5mΩ@10V，4A
类型：1个N沟道
栅极电荷：8.6nC@10V
功率：26W
输入电容：410.8pF@25V
反向传输电容：3.1pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：990mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：990mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：990mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MD
工作温度：-55℃~+150℃
功率：55W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：990mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT8N65MF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：28nC@10V
输入电容：965pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@25V
导通电阻：990mΩ@10V，4A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
