品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:625mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:2.9nC@10V
输入电容:138pF@50V
连续漏极电流:1A
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@10V,1.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:400mW
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:4.6nC@10V
输入电容:235pF@50V
连续漏极电流:700mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT47M2SFVWQ-7
工作温度:-55℃~+150℃
功率:27.1W€2.67W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:12.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:897pF@20V
连续漏极电流:49.1A€15.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: