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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW8N03_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€3W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：7.2A€5A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW8N03_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€3W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：7.2A€5A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW8N03_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W€3W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：7.2A€5A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LN8320DT1AG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：10nC@4.5V
输入电容：1nF@15V
连续漏极电流：25A
类型：1个N沟道
反向传输电容：110pF@15V
导通电阻：9.5mΩ@10V，12.8A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT3145J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：48nC@Vgs=10V
输入电容：1.859nF@Vds=15V
连续漏极电流：85A
类型：1个N沟道
反向传输电容：212pF@Vds=15V
导通电阻：3.6mΩ@10V，20A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：275mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN3404A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：744pF@0V
连续漏极电流：5.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€3.1W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3406_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：235pF@15V
连续漏极电流：4.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@4.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
