品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2000}
包装规格(MPQ):506psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1
功率:10W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:44pF@0V
连续漏极电流:2.4A
类型:1个N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2000}
包装规格(MPQ):506psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1
功率:10W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:44pF@0V
连续漏极电流:2.4A
类型:1个N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:800mV@1mA
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":2000}
包装规格(MPQ):506psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1
功率:10W
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:44pF@0V
连续漏极电流:2.4A
类型:1个N沟道
漏源电压:16V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@10V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
功率:150mW
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:200mA
反向传输电容:3pF@10V
输入电容:26pF@10V
类型:1个N沟道
漏源电压:50V
导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA
阈值电压:800mV@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: