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    类型: 1个N沟道
    阈值电压: 800mV@1mA
    当前匹配商品:10+
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    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2000}

    包装规格(MPQ):506psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1

    功率:10W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:44pF@0V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订609个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订609个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2000}

    包装规格(MPQ):506psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1

    功率:10W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:44pF@0V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RYC002N05T316 起订数3000个
    ROHM Mosfet场效应管 RYC002N05T316 起订数3000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:800mV@1mA

    输入电容:26pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RYM002N05T2CL 起订30个装
    ROHM Mosfet场效应管 RYM002N05T2CL 起订30个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RYM002N05T2CL

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:3pF@10V

    导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@1mA

    输入电容:26pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:3pF@10V

    导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订数1000个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订数1000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@1mA

    输入电容:26pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:3pF@10V

    导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订数300000个
    ROHM Mosfet场效应管 RU1J002YNTCL 起订数300000个

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@1mA

    输入电容:26pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:3pF@10V

    导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RQA0008RXDQS#H1 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":2000}

    包装规格(MPQ):506psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQA0008RXDQS#H1

    功率:10W

    阈值电压:800mV@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:44pF@0V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RYM002N05T2CL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RYM002N05T2CL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RYM002N05T2CL

    功率:150mW

    阈值电压:800mV@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:26pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:3pF@10V

    导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RYM002N05T2CL 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 RYM002N05T2CL 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RYM002N05T2CL

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:200mA

    反向传输电容:3pF@10V

    输入电容:26pF@10V

    类型:1个N沟道

    漏源电压:50V

    导通电阻:1.6Ω@4.5V,200mA

    阈值电压:800mV@1mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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