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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36MFV，L3F(T，LCFC
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：630mΩ@5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@2.5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36MFV，L3F(T，LCFC
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：630mΩ@5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K36MFV，L3F(T，LCFC
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：630mΩ@5V，200mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：700mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：18nC@4.5V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：16mΩ@4.5V，7.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
栅极电荷：2nC@4.5V
输入电容：180pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K35CT，L3F(T
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：180mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@4V，50mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
输入电容：180pF@10V
导通电阻：105mΩ@2A，4.5V
栅极电荷：2nC@4.5V
功率：540mW
阈值电压：1V@1mA
类型：1个N沟道
漏源电压：20V
连续漏极电流：2A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUC002N05HZGT116
功率：350mW
阈值电压：1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@100mA，2.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：150mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1Ω@300mA，4V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：1V@1mA
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：235mΩ@4.5V，800mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：100mW
阈值电压：1V@1mA
输入电容：12pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2Ω@4.5V，100mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
