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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN1045UFR4-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：4.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@10V
连续漏极电流：3.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：45mΩ@4.5V，3.2A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1LFD-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：550pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@4V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS331N
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：162pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：160mΩ@4.5V，1.5A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3434_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：67pF@10V
连续漏极电流：750mA
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@4.5V，600mA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
