品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LBSS260DW1T1G
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.44Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3013-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@5V
导通电阻:1.2Ω@10v,450mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3013-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@5V
导通电阻:1.2Ω@10v,450mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3013-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@5V
导通电阻:1.2Ω@10v,450mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3013-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@5V
导通电阻:1.2Ω@10v,450mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3013-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@5V
导通电阻:1.2Ω@10v,450mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:WILLSEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):WNM3013-3/TR
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:1.6nC@10V
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:12pF@5V
导通电阻:1.2Ω@10v,450mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
工作温度:-55℃~+150℃
功率:380mW
阈值电压:1V@250μA
栅极电荷:930pC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
类型:1个N沟道
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN21D2UFB-7B
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
功率:380mW
输入电容:27.6pF@16V
连续漏极电流:760mA
栅极电荷:930pC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V
阈值电压:1V@250μA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: