采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：930pC@10V
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：930pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
类型：1个N沟道
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN21D2UFB-7B
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
功率：380mW
输入电容：27.6pF@16V
连续漏极电流：760mA
栅极电荷：930pC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：990mΩ@100mA，4.5V
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
