采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M6R7-40HX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.161nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
反向传输电容：55pF@25V
导通电阻：5.7mΩ@10V，20A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8，"22+"：34970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：8，"22+"：34970}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1354，"22+"：2188}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6690AS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：910pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10V，10A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000TA
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：20000}
规格型号(MPN)：2SK3993-ZK-E1-AZ
输入电容：4.77nF@10V
连续漏极电流：64A
栅极电荷：88nC@10V
类型：1个N沟道
导通电阻：3.8mΩ@10V，32A
阈值电压：3V@1mA
漏源电压：25V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
