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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：211nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：211nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：211nC@10V
输入电容：16nF@50V
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@150A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5.2W€65.7W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：1.95nF@40V
连续漏极电流：16.7A€59.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.4mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
功率：375W
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
阈值电压：3.8V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM070NB04CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：3.125nF@20V
连续漏极电流：15A€75A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
功率：375W
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
阈值电压：3.8V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS30DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.666nF@10V
连续漏极电流：15.9A€54.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：8.25mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT015N10N5
功率：375W
阈值电压：3.8V@250μA
连续漏极电流：300A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5mΩ@10V，150A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3502
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€41W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：615pF@40V
连续漏极电流：6A€14A
类型：1个N沟道
反向传输电容：35pF@40V
导通电阻：37mΩ@10V，6A
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM130NB06CR RLG
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.1W€83W
阈值电压：3.8V@250μA
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：2.234nF@30V
连续漏极电流：10A€50A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
