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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：1000}
包装规格(MPQ)：156psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3058-Z-E1-AZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：散装
输入电容：2.1nF@10V
连续漏极电流：55A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：8W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：11nC@5V
输入电容：584pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
导通电阻：73mΩ@10V，8A
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1523}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ542-E
功率：60W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：1.3nF@10V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：203，"20+"：211}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2498-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
输入电容：3.4nF@10V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6956}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2109-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：111pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：1760}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6956}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2109-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：111pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1172，"12+"：2500，"9999"：680}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9514-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：149W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：3.307nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9514-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：149W
阈值电压：2V@1mA
输入电容：3.307nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMBF170，215
工作温度：-65℃~150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9514-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：149W
阈值电压：2V@1mA
输入电容：3.307nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2461-AZ
功率：2W€35W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：51nC@10V
输入电容：1.4nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1172，"12+"：2500，"9999"：680}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9514-55A，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：149W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：3.307nF@25V
连续漏极电流：73A
类型：1个N沟道
导通电阻：13mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：6956}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2109-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：111pF@10V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：800mΩ@300mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：14000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2054-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：14000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2054-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：14000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2054-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：530pF@10V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：830mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：10nC@10V
输入电容：190pF@10V
连续漏极电流：1.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：120mΩ@10V，1A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：14621}
包装规格(MPQ)：606psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2857-T1-AZ
功率：2W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10.6nC@10V
包装方式：散装
输入电容：265pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：500mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：300mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
