采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS016N03ZC
功率：57W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：146A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTR4003NLT1G
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS080N04SC
功率：3.1W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LNTR4003NLT1G
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS020N04RA
功率：187W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：220A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.1mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS020N04RA
功率：187W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：220A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.1mΩ@4.5V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BRCS016N03ZC
功率：57W
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：146A
类型：1个N沟道
导通电阻：2mΩ@4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：蓝箭电子（BLUE ROCKET ELECTRONICS）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BR2N7002K2
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.7Ω@5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SUPERDIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ES35N06A
功率：25W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：20nC
输入电容：1.15nF
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF
导通电阻：26mΩ@10V，20A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS76LDN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：1.6V@250μA
栅极电荷：33.5nC@4.5V
输入电容：2.78nF@35V
连续漏极电流：67.4A€19.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，4.5V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN31D5L-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1.6V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@15V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10mA，4V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
