采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
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规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
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功率：1.39W
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连续漏极电流：10A
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导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
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连续漏极电流：10A
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导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
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工作温度：-55℃~+150℃
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连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
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连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
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规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：MCC
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
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连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：MCC
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工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
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连续漏极电流：8A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
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规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
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品牌：RENESAS
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
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规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
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连续漏极电流：12A
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导通电阻：440mΩ@6A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
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连续漏极电流：9.5A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
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连续漏极电流：9.5A
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导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
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连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
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连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
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连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
功率：27.7W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：720pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个N沟道
导通电阻：440mΩ@6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
输入电容：474pF@25V
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
连续漏极电流：8A
漏源电压：900V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
类型：1个N沟道
栅极电荷：13.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
类型：1个N沟道
连续漏极电流：12A
包装方式：管件
导通电阻：440mΩ@6A，10V
功率：27.7W
漏源电压：600V
输入电容：720pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"13+"：61000，"32+"：39000，"MI+"：29813}
包装规格(MPQ)：82psc
规格型号(MPN)：RJK60S3DPP-E0#T2
类型：1个N沟道
连续漏极电流：12A
包装方式：管件
导通电阻：440mΩ@6A，10V
功率：27.7W
漏源电压：600V
输入电容：720pF@25V
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：11W€900mW
阈值电压：2.3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
