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    类型: 1个N沟道
    栅极电荷: 13nC@10V
    行业应用: 汽车
    当前匹配商品:80+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订750个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订750个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订100个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订100个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订62个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订62个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R8002ANJGTL 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R8002ANJGTL

    功率:62W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@25V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.3Ω@1A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3984-ZK-E1-AY 起订416个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK3984-ZK-E1-AY 起订416个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":2500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3984-ZK-E1-AY

    功率:20W€1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:750pF@10V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:85mΩ@9A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N03D3 起订31个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N03D3 起订31个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:825pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:40pF@15V

    导通电阻:5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA108DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA108DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.6A€12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:38mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS108DN-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS108DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W€3.2W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:545pF@40V

    连续漏极电流:6.7A€16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@4A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA1808GR-9JG-E1-A 起订1000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA1808GR-9JG-E1-A 起订1000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA1808GR-9JG-E1-A

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订7500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订7500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订60个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G2K3N10G 起订60个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2K3N10G

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:436nF@50V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:9nF@50V

    导通电阻:180mΩ@10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA1808GR-9JG-E1-A 起订606个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA1808GR-9JG-E1-A 起订606个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA1808GR-9JG-E1-A

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:9.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS8884 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS8884

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:635pF@15V

    连续漏极电流:8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@10V,8.5A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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