采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：755pF@10V
连续漏极电流：6.9A
类型：1个N沟道
导通电阻：33mΩ@6.9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
连续漏极电流：8.5A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
输入电容：635pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
连续漏极电流：8.5A
阈值电压：2.5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
输入电容：635pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
