品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":5398,"14+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN085-150K,518
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.5W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.31nF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:57W€4.8W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:1.666nF@10V
连续漏极电流:15.9A€54.7A
类型:1个N沟道
导通电阻:8.25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6020KNXC7G
功率:68W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1.55nF@25V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:196mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.142nF@25V
连续漏极电流:42A€8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6015ENXC7G
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:910pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:290mΩ@6.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG
工作温度:-55℃~+175℃
功率:3.1W€83W
阈值电压:3.8V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.234nF@30V
连续漏极电流:10A€50A
类型:1个N沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD18N20LZ
工作温度:-55℃~+150℃
功率:89W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.575nF@25V
连续漏极电流:16A
类型:1个N沟道
导通电阻:125mΩ@8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71.4W€2.4W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.142nF@25V
连续漏极电流:42A€8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86240
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.57nF@75V
连续漏极电流:7.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG08N68P
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:3.2nF@30V
连续漏极电流:90A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@30V
导通电阻:6.5mΩ@10V,45A
漏源电压:68V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPG100N03
功率:120W
阈值电压:1.5V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:2.315nF@25V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
反向传输电容:11pF@25V
导通电阻:4.2mΩ@10V,20A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MPF40N25
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
输入电容:3.7nF@25V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
反向传输电容:2.5pF@25V
导通电阻:65mΩ@10V,20A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: