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    NXP Mosfet场效应管 PSMN085-150K,518 起订1002个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN085-150K,518 起订1002个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":5398,"14+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN085-150K,518

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.5W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.31nF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS30DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS30DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:3.8V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:1.666nF@10V

    连续漏极电流:15.9A€54.7A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:8.25mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订50个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订50个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNXC7G

    功率:68W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.55nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6020KNXC7G 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6020KNXC7G

    功率:68W

    阈值电压:5V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1.55nF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:196mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86240

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.57nF@75V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ENXC7G 起订1000个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ENXC7G 起订1000个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ENXC7G

    功率:60W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ENXC7G 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ENXC7G 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ENXC7G

    功率:60W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:910pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:290mΩ@6.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86240

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.57nF@75V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM130NB06CR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM130NB06CR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM130NB06CR RLG

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.1W€83W

    阈值电压:3.8V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.234nF@30V

    连续漏极电流:10A€50A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86240

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.57nF@75V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"23+":9300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD18N20LZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD18N20LZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:89W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.575nF@25V

    连续漏极电流:16A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:125mΩ@8A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86240

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.57nF@75V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ5462A-AU_R2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ5462A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:71.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.142nF@25V

    连续漏极电流:42A€8.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:12mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS86240 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS86240

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.57nF@75V

    连续漏极电流:7.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:19.8mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG08N68P 起订9个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG08N68P 起订9个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG08N68P

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:125W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:3.2nF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:180pF@30V

    导通电阻:6.5mΩ@10V,45A

    漏源电压:68V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPG100N03 起订12个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPG100N03 起订12个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPG100N03

    功率:120W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:2.315nF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:11pF@25V

    导通电阻:4.2mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFD14N05LSM9A 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:670pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@5V,14A

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订10个装
    MINOS Mosfet场效应管 MPF40N25 起订10个装

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MPF40N25

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:40nC@10V

    输入电容:3.7nF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:2.5pF@25V

    导通电阻:65mΩ@10V,20A

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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