采购热线 400-661-9010
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50N04-8M8P-4GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€48.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.501nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，5.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUD50N04-8M8P-4GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€48.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2400pF@20V
连续漏极电流：14A€50A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，5.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH34N65X2
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.501nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：540W
阈值电压：5.5V@2.5mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.33nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：105mΩ@10V，17A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，5.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.501nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD23N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：23A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：220mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MD23N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：48W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：23A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：220mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
工作温度：-55℃~+150℃
功率：230W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：1.92nF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
反向传输电容：18pF@25V
导通电阻：260mΩ@10V，10A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MPF20N50
连续漏极电流：20A
漏源电压：500V
功率：230W
类型：1个N沟道
输入电容：1.92nF@25V
阈值电压：4V@250μA
导通电阻：260mΩ@10V，10A
工作温度：-55℃~+150℃
反向传输电容：18pF@25V
栅极电荷：56nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
漏源电压：650V
阈值电压：5V@960μA
输入电容：2.35nF@25V
类型：1个N沟道
栅极电荷：56nC@10V
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
连续漏极电流：30A
功率：305W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNXC7G
功率：86W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNXC7G
功率：86W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF400N80Z
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4.5V@1.1mA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.35nF@100V
连续漏极电流：11A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@10V，5.5A
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6530KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@960μA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：140mΩ@14.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6030KNZ4C13
功率：305W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：2.35nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：130mΩ@14.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：294W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：4.095nF@25V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
反向传输电容：178pF@25V
导通电阻：1.35mΩ@10V，25A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
