品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047KNZ4C13
功率:481W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.3nF@25V
连续漏极电流:47A
类型:1个N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:391W
阈值电压:4.5V@1.72mA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:4.75nF@100V
连续漏极电流:53.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:70mΩ@20.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUA180N04S5N012AUMA1
工作温度:-55℃~+175℃
功率:125W
阈值电压:3.4V@70μA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.158nF@25V
连续漏极电流:180A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2mΩ@90A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:333W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
输入电容:7.35nF@75V
连续漏极电流:130A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10V,100A
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF42N65M5
功率:40W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4.65nF@100V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:79mΩ@16.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
栅极电荷:100nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
类型:1个N沟道
功率:1.9W
连续漏极电流:11A
导通电阻:9.6mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250μA
包装清单:商品主体 * 1
库存: